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FP100R12KT4英飞凌Infineon

run away韩国漫画免费 www.wtcpbd.cn 发布时间:2019/12/1 21:58:00 访问次数:48发布企业:深圳市明烽威电子有限公司

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制造商: Infineon
产品种类: IGBT ???br /> 产品: IGBT Silicon Modules
配置: 3-Phase
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 5.15 W
封装 / 箱体: Econo 3
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 122 mm
宽度: 62 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FP100R12KT4
单位重量: 300 g
CAT5271ZI-50-GT3

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制造商: Infineon
产品种类: IGBT ???br /> 产品: IGBT Silicon Modules
配置: 3-Phase
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 5.15 W
封装 / 箱体: Econo 3
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 122 mm
宽度: 62 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FP100R12KT4
单位重量: 300 g
CAT5271ZI-50-GT3

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制造商: Infineon
产品种类: IGBT ???br /> 产品: IGBT Silicon Modules
配置: 3-Phase
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 5.15 W
封装 / 箱体: Econo 3
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 122 mm
宽度: 62 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FP100R12KT4
单位重量: 300 g
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制造商: Infineon
产品种类: IGBT ???br /> 产品: IGBT Silicon Modules
配置: 3-Phase
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 5.15 W
封装 / 箱体: Econo 3
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 122 mm
宽度: 62 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FP100R12KT4
单位重量: 300 g
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配置: 3-Phase
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 5.15 W
封装 / 箱体: Econo 3
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 122 mm
宽度: 62 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FP100R12KT4
单位重量: 300 g
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制造商: Infineon
产品种类: IGBT ???br /> 产品: IGBT Silicon Modules
配置: 3-Phase
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 5.15 W
封装 / 箱体: Econo 3
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 122 mm
宽度: 62 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FP100R12KT4
单位重量: 300 g
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