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GSOT36C-GS08

run away韩国漫画免费 www.wtcpbd.cn 发布时间:2019/12/2 11:53:00 访问次数:35发布企业:鑫锐电子(香港)有限公司

GSOT36C-GS08 vishay ESD Suppressor TVS ±30KV 3-Pin SOT-23 T/R


GSOT36C-GS08产品详细规格


据台媒《财讯》报道,前尔必达社长坂本幸雄出任紫光集团高级副总裁兼日本分公司CEO,当中牵线搭桥者,正是长江存储董事长高启全。


近日,坂本幸雄在接受日本《钻石周刊》的专访中表示,与高启全原本就是旧识,三年前,高启全曾邀请他一起到紫光集团来做NAND,但坂本幸雄心中仍对DRAM存有执念,因此婉拒了高启全。


今年以来,高启全又两度邀请坂本幸雄一起来做DRAM,原本他以为自己70多岁高龄会导致体力跟不上,但由于两年前开始学习剑道的步调,觉得自己应该还能继续工作两三年。所以,高启全9月再去日本时,只花了30分钟就请动了坂本幸雄,因为DRAM对他的吸引力实在是太大了。


日前,坂本幸雄在接受采访时表示,紫光的目标是5年内量产DRAM内存,自己的工作就是协助公司达成目标,为此紫光要在日本神奈川县川崎设立“开发中心”,预计会招聘70-100位工程师,与中国境内的制程工艺团队配合,花2-3年构建出可以量产的内存技术。


关于招聘人才,坂本幸雄表示,应该会来自像瑞萨电子那样的日本半导体厂商、或在台湾企业服务但对现状不满的人。他强调,很多工程师很优秀又有工作意愿,但受限于公司的分工策略,只能做被细分后的工作,缺乏自由度。


坂本幸雄进一步指出,要做出好的DRAM,设计者必须从产品整体考量,因此企业必须让他们自由发挥,而紫光不仅待遇好,应该还能提供一个让他们觉得有趣的工作环境。


紫光集团的DRAM事业群成立于今年6月,由曾任工信部电子信息司司长的刁石京出任董事长,CEO则由高启全担任。8月27日,紫光集团宣布与重庆市政府签署合作协议,并在重庆投资DRAM研发中心与工厂,厂房预定2019年底动工,并于2021年完工。


另外,有消息人士透露,紫光集团内部已计划将在未来十年内投资8000亿元人民币,以加快DRAM量产。


有了坂本幸雄的重磅加入,紫光集团的DRAM布局有望进一步增速。据了解,坂本幸雄在DRAM领域具有30余年的从业经验,在技术以及战略发展上拥有优秀的领导力。坂本幸雄先生曾任日本德州仪器副社长、神户制钢电子信息科半导体部门总监理、联日半导体社长兼代表董事,及尔必达存储社长、代表董事兼CEO。


AD8505ARJZ AD8532ARZ-REEL7 AD8534ARZ-REEL AD8541ARTZ-REEL7 AD8542ARZ-REEL7 AD8544ARUZ AD8544ARZ AD8613AUJZ AD8617ARZ-REEL7 AD8692ARZ-REEL7 AD8694ARZ-REEL7 ADA4505-1ARJZ AD8505ARJZ AD8532ARZ-REEL7 AD8534ARZ-REEL AD8541ARTZ-REEL7 AD8542ARZ-REEL7 AD8544ARUZ AD8544ARZ AD8613AUJZ AD8617ARZ-REEL7 AD8692ARZ-REEL7 AD8694ARZ-REEL7 ADA4505-1ARJZ


标准包装 3,000
电压 - 反向隔离(典型值) 36V
- 击穿电压 39V
功率(瓦特) 248W
极化 2 Channel Array - Unidirectional
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
类型 TVS
引脚数 3
方向类型 Bi-Directional
最大钳位电压 71 V
每个芯片的元件数 1
ESD?;さ缪?±30@Air Gap/±30@Contact Disc kV
最大工作电压 36(Min) V
最大泄漏电流 1 uA
电容值 65 pF
最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 125 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大钳位电压 71
包装宽度 1.43(Max)
PCB 3
最大泄漏电流 1
欧盟RoHS指令 Compliant
电容值 65
最低工作温度 -40
配置 Single
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最大ESD?;さ缪?±30@Air Gap/±30@Contact Disc
最高工作温度 125
最大工作电压 36(Min)
包装长度 3.1(Max)
包装高度 1.05(Max)
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
匹配代码 GSOT36C-GS08
夹紧VOLTAG 67.5V
包装 SOT23
单位包 3000
标准的提前期 15 weeks
最小起订量 15000
待机关闭V VWM 36V
应用 BIDIRECTIO
无铅Defin RoHS-conform
PowerDissipati 0.3kW
汽车 AEC-Q(101)
容差 5%
击穿- V(BR ) 40V
通道 2 Channels
钳位电压 60 V
产品种类 TVS Diodes - Transient Voltage Suppressors
工厂包装数量 15000
系列 GSOT03C-36C
端接类型 SMD/SMT
安装风格 SMD/SMT
电容 52 pF
击穿电压 39 V
工作电压 36 V (Min)
封装/外壳 SOT-23
RoHS RoHS Compliant
TVS Polarity :Bidirectional
Reverse Stand-Off Voltage Vrwm :36.5V
Breakdown Voltage Min :27.5V
Breakdown Voltage Max :30.7V
Clamping Voltage Vc Max :72V
Peak Pulse Current Ippm :3.5A
Weight (kg) 0
Tariff No. 85411000
Diode Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
Breakdown Voltage Range :27.5V to 30.7V
二极管配置 :Bidirectional
二极管类型 :ESD Protection
Peak Pulse Power :248W
Stand-off Voltage :36V
端接类型 :SMD
associated PESD36VS2UT
GSOT36C-GS08
三星再次陷入关闭工厂的传闻。有消息称,最快9月,三星将关闭在中国的最后一家手机工厂,目前该公司已在做最后的清算工作,工厂从今年5月就开始跟工人沟通关闭消息,预计今年9月,整个工厂将会完全关闭。北京商报记者就此联系到三星中国方面,但截至发稿,对方未做出回复。


关于三星关闭中国工厂的传闻,今年以来有过多次报道,但都没有获得三星方面的确认。6月初,就有报道称,三星电子正在削减其仅存一家在华智能手机工厂——广东省惠州市的工厂的产量并裁员。如果传闻属实,那么这家工厂已不是三星在中国关闭的第一家工厂。早在2018年12月31日,建立18年的天津三星手机制造工厂(三星天津通信)就被停产关闭。2010年,三星产销手机2亿多部,其中六成以上在中国生产,而天津工厂产量最多。


据悉,三星近年来正逐步将手机制造转向印度及越南,其中越南承接的智能手机制造业务是最多的,截至去年4月,三星在越南的投资总额高达173亿美元,在当地建设了8个制造工厂,主要生产智能手机、电子零件等。
不过,在关闭工厂的同时,三星似乎还在新建工厂。有消息称,三星正在加快建设车用MLCC工厂(多层陶瓷电容器)、动力电池生产线等新项目,新增高端制造方面的投资达24亿美元(约合人民币162.6亿元)。目前,天津区域内聚集了10家三星系企业,累计投资超过58亿美元(约合人民币393亿元),占三星在华总投资近1/5。


香港鑫锐电子有限公司,18年元器件专业分销商 (授权与非授权品牌) ,一站式终端厂家配套:(质量保证 诚信经营)是公司的承诺,为客户提供品牌原装半导体,电子元器件终端配套市场,专注ESD/TVS静电?;ざ?、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域(无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源)。


主营产品:ESD静电二极管、TVS二极管、电池充电和管理电源、MOS管、LDO低功耗稳压管。


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香港鑫锐电子公司部分现货:
TLV70433DBVR、TP4101、TP5100、TP4056、RT9013-33PB、TPS73618DBVR、MIC5255-3.0YM5、CDSOT23-T36C、CDSOT23-24C、TL431CDBZR、TL431IDBZR、TLV1117CDCYR、LM317EMPX、NCP1117ST33T3G、NCP1117ST50T3G、PESD5V0V1BL、PESD5V0V1BSF、PESD2CAN、PESD5V0S1BA、PESD12VS2UT、PESD15VL2BT、PESD36VS2UT、PESD3V3L1BA、PESD24VL2BT、IP4220CZ6、IP4223CZ6、BCP56-16、BCP51-16、BSN20、uClamp0511T.TCT、SRV05-4.TCT、RCLAMP0531T.TCT、RCLAMP0502A.TCT、SD05C.TCT、SR05.TCT、RCLAMP0524J.TCT、ESD5Z2.5T1G、ESD5Z3.3T1G、CM1213A-01SO、CM1213A-04SO、NTR4501NT1G、NTR4502PT1G、NTR4170NT1G、NTR4171PT1G、RLST23A032C、RLST23A0122C、RLST23A052C、PRTR5V0U2X、GBLC03CI-LF-T7、GBLC03C-LF-T7、GBLC05CI-LF-T7、GBLC05C-LF-T7、GBLC08CI-LF-T7、GBLC08C-LF-T7、GBLC12CI-LF-T7、GBLC12C-LF-T7、GBLC15CI-LF-T7、GBLC24CI-LF-T7、GBLC24C-LF-T7、PSD03C-LF-T7、PSD05-LF-T7、PSD05C-LF-T7、PSD08C-LF-T7、PSM712-LF-T7、AO3400、AO3400A、AO3401A、AO3402、TPSMB6.8CA-E3/52、TPSMB6.8A、TPSMB47A、TPSMB43A、TPSMB39A、TPSMB36A、TPSMB33A、TPSMB30A、STTH208、、IRLML2502TRPBF、TP4101、IRLML6401TRPBF、TLV70433DBVR、PESD5V0S1BB、PSM712-LF-T7、NTR4171PT1G、SGM2036-3.3YUDH4G/TR 、SGM2036-1.8YUDH4G/TR、DMN2046U-7等等。


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9月25日,英国芯片设计公司Arm中国方面对澎湃新闻记者证实:在合规的前提下,Arm确认V8架构和未来的后续架构技术,可以向包括华为海思在内的中国客户授权。


当天,有媒体报道称,Arm中国在深圳举办的媒体沟通会上表示:华为和海思是Arm长期的合作伙伴,经过实体名单之后,已经理清,不论是之前的V8架构还是以后的V9架构,都是基于英国的技术,Arm与华为和海思的合作,不会受到目前形势的影响。V8架构是Arm当前最新的技术架构,下一代可能会命名V9。


据悉,9月25日当天,Arm与Arm中国和海思也在召开三方闭门会议,共同商讨三方的合作。


ARM成立于1990年,是一家全球领先的半导体知识产权(IP)提供商,总部位于英国剑桥。全世界超过95%的智能手机和平板电脑都采用Arm架构。2016年被孙正义的软银收购,但总部依然在英国剑桥。


对于Arm的表态,华为暂无官方回应。


今年5月份,华为被美国列入“实体清单”,一些供应链企业无法继续对华为提供支持和服务。据英国广播公司(BBC)在一篇报道中称,芯片设计商Arm告诉员工,它必须暂停与华为的业务。BBC分析称,在Arm公司的备忘录中,它表示其设计包含“美国原产技术”。因此,它认为它受到特朗普政府禁令的影响。


随后,Arm中国曾对外表示:Arm中国十分重视长期合作伙伴海思,“我们正在积极沟通,寻求符合目前法律与规范的妥善解决方案?!?br />

9月19日,Arm中国执行董事长兼CEO吴雄昂出席了华为在上海召开的全联接大会,并与华为Cloud & AI产品与服务总裁侯金龙以及绿色计算产业联盟CTO郭晶一起发布了由华为和Arm中国联合署名的《鲲鹏计算产业发展白皮书》。


据悉,9月25日,在深圳华侨洲际大酒店,Arm与Arm中国和海思也在召开三方闭门会议,共同商讨三方的合作。


除了Arm恢复对华为的支持,美国时间9月23日,高通公司CEO莫伦科夫对中国媒体表示,高通已经向华为重启供货并一直想办法以确保未来能够持续供货。


华为同样未对高通恢复供货一事做出回应。

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