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GSOT05C-GS08

run away韩国漫画免费 www.wtcpbd.cn 发布时间:2019/12/2 11:54:00 访问次数:41发布企业:鑫锐电子(香港)有限公司

GSOT05C-GS08 Vishay Diode TVS Single Bi-Dir 5V 612W 3-Pin SOT-23

GSOT05C-GS08产品详细规格
标准包装 3,000
电压 - 反向隔离(典型值) 5V
- 击穿电压 6V
功率(瓦特) 480W
极化 2 Channel Array - Unidirectional
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
类型 TVS
引脚数 3
方向类型 Bi-Directional
最大钳位电压 16 V
每个芯片的元件数 1
ESD?;さ缪?±30@Air Gap/±30@Contact Disc kV
最大工作电压 5(Min) V
最大泄漏电流 10 uA
电容值 350 pF
最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 125 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Cut Tape
标准包装 Tape & Reel
最大钳位电压 16
包装宽度 1.43(Max)
PCB 3
最大泄漏电流 10
欧盟RoHS指令 Compliant
电容值 350
最低工作温度 -40
配置 Single
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最大ESD?;さ缪?±30@Air Gap/±30@Contact Disc
最高工作温度 125
最大工作电压 5(Min)
包装长度 3.1(Max)
包装高度 1.05(Max)
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
匹配代码 GSOT05C-GS08
夹紧VOLTAG 11.1V
包装 SOT23
单位包 3000
标准的提前期 15 weeks
最小起订量 15000
待机关闭V VWM 5V
应用 BIDIRECTIO
无铅Defin RoHS-conform
PowerDissipati 0.3kW
汽车 AEC-Q(101)
容差 5%
击穿- V(BR ) 6V
通道 2 Channels
钳位电压 8.7 V
产品种类 TVS Diodes - Transient Voltage Suppressors
工厂包装数量 15000
系列 GSOT03C-36C
端接类型 SMD/SMT
安装风格 SMD/SMT
电容 260 pF
击穿电压 6 V
工作电压 5 V (Min)
封装/外壳 SOT-23
RoHS RoHS Compliant
TVS Polarity :Bidirectional
Reverse Stand-Off Voltage Vrwm :5V
Breakdown Voltage Min :27.5V
Breakdown Voltage Max :30.7V
Clamping Voltage Vc Max :16V
Peak Pulse Current Ippm :30A
Diode Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
Breakdown Voltage Range :27.5V to 30.7V
二极管配置 :Bidirectional
二极管类型 :ESD Protection
Peak Pulse Power :480W
Stand-off Voltage :5V
端接类型 :SMD
Weight (kg) 0.0001
Tariff No. 85411000
associated PESD5V0S2UAT


据台媒《财讯》报道,前尔必达社长坂本幸雄出任紫光集团高级副总裁兼日本分公司CEO,当中牵线搭桥者,正是长江存储董事长高启全。


近日,坂本幸雄在接受日本《钻石周刊》的专访中表示,与高启全原本就是旧识,三年前,高启全曾邀请他一起到紫光集团来做NAND,但坂本幸雄心中仍对DRAM存有执念,因此婉拒了高启全。


今年以来,高启全又两度邀请坂本幸雄一起来做DRAM,原本他以为自己70多岁高龄会导致体力跟不上,但由于两年前开始学习剑道的步调,觉得自己应该还能继续工作两三年。所以,高启全9月再去日本时,只花了30分钟就请动了坂本幸雄,因为DRAM对他的吸引力实在是太大了。


日前,坂本幸雄在接受采访时表示,紫光的目标是5年内量产DRAM内存,自己的工作就是协助公司达成目标,为此紫光要在日本神奈川县川崎设立“开发中心”,预计会招聘70-100位工程师,与中国境内的制程工艺团队配合,花2-3年构建出可以量产的内存技术。


关于招聘人才,坂本幸雄表示,应该会来自像瑞萨电子那样的日本半导体厂商、或在台湾企业服务但对现状不满的人。他强调,很多工程师很优秀又有工作意愿,但受限于公司的分工策略,只能做被细分后的工作,缺乏自由度。


坂本幸雄进一步指出,要做出好的DRAM,设计者必须从产品整体考量,因此企业必须让他们自由发挥,而紫光不仅待遇好,应该还能提供一个让他们觉得有趣的工作环境。


紫光集团的DRAM事业群成立于今年6月,由曾任工信部电子信息司司长的刁石京出任董事长,CEO则由高启全担任。8月27日,紫光集团宣布与重庆市政府签署合作协议,并在重庆投资DRAM研发中心与工厂,厂房预定2019年底动工,并于2021年完工。


另外,有消息人士透露,紫光集团内部已计划将在未来十年内投资8000亿元人民币,以加快DRAM量产。


有了坂本幸雄的重磅加入,紫光集团的DRAM布局有望进一步增速。据了解,坂本幸雄在DRAM领域具有30余年的从业经验,在技术以及战略发展上拥有优秀的领导力。坂本幸雄先生曾任日本德州仪器副社长、神户制钢电子信息科半导体部门总监理、联日半导体社长兼代表董事,及尔必达存储社长、代表董事兼CEO。


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三星再次陷入关闭工厂的传闻。有消息称,最快9月,三星将关闭在中国的最后一家手机工厂,目前该公司已在做最后的清算工作,工厂从今年5月就开始跟工人沟通关闭消息,预计今年9月,整个工厂将会完全关闭。北京商报记者就此联系到三星中国方面,但截至发稿,对方未做出回复。


关于三星关闭中国工厂的传闻,今年以来有过多次报道,但都没有获得三星方面的确认。6月初,就有报道称,三星电子正在削减其仅存一家在华智能手机工厂——广东省惠州市的工厂的产量并裁员。如果传闻属实,那么这家工厂已不是三星在中国关闭的第一家工厂。早在2018年12月31日,建立18年的天津三星手机制造工厂(三星天津通信)就被停产关闭。2010年,三星产销手机2亿多部,其中六成以上在中国生产,而天津工厂产量最多。


据悉,三星近年来正逐步将手机制造转向印度及越南,其中越南承接的智能手机制造业务是最多的,截至去年4月,三星在越南的投资总额高达173亿美元,在当地建设了8个制造工厂,主要生产智能手机、电子零件等。
不过,在关闭工厂的同时,三星似乎还在新建工厂。有消息称,三星正在加快建设车用MLCC工厂(多层陶瓷电容器)、动力电池生产线等新项目,新增高端制造方面的投资达24亿美元(约合人民币162.6亿元)。目前,天津区域内聚集了10家三星系企业,累计投资超过58亿美元(约合人民币393亿元),占三星在华总投资近1/5。




香港鑫锐电子有限公司,18年元器件专业分销商 (授权与非授权品牌) ,一站式终端厂家配套:(质量保证 诚信经营)是公司的承诺,为客户提供品牌原装半导体,电子元器件终端配套市场,专注ESD/TVS静电?;ざ?、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域(无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源)。


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公司:香港鑫锐电子有限公司
联系人:姚小姐
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香港鑫锐电子公司部分现货:
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东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,“TLP3407SR”开始出货。这是一款新型电压驱动光继电器,有助于降低功耗,并且实现了业界最小的[1]安装面积。


TLP3407SR在输入电压时的最大LED限制电流为1mA,相当于此前推出的“TLP3407SRH”的三分之一左右。这款新型光继电器能将最大输入功耗降至3.3mW[2],有助于降低探针卡、自动半导体测试装置(ATE)、半导体测试仪和相关应用板的功耗。


在输入电压为5V乃至更高的高压情况下,可通过添加串联外部电阻来驱动新型光继电器,这允许设计的最大触发LED参考电流为0.2mA。这种方法能降低测试仪电路的输入电流。


TLP3407SR采用小型S-VSON4T[3]封装,所需安装面积为2.9mm2,与现有的VSONR4[4]封装相比,封装尺寸缩小近27%,成为业界最小封装[1]。该小型封装可支持探针卡等设备减小尺寸,也能安装更多的光继电器。


? 应用:


探针卡


自动半导体测试装置(ATE)


逻辑与内存测试仪等


检测仪器(示波器、数据记录器等)


? 特性:


低输入功耗:3.3V电压时功耗为3.3mW(最大值),ILIM(LED)=1mA(最大值)


业界最小的[1]安装面积:2.9 mm2(典型值)


控制信号采用两种输入电压:DC3.3V(典型值)和DC5V(典型值)

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